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PHKD13N03LT,118

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PHKD13N03LT,118详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.7nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:752pF @ 15V
功率_最大:3.57W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:带卷 (TR)
  • 型号
  • 厂家
  • 批号
  • 数量
  • 封装
  • 备注
  • 供货商
  • 操作
    • PHKD13N03LT,118
    • NXP Semiconductors 
    • 18+ 
    • MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC 
    • 只做原装正品,部分现货,可订期 
    • 深圳市永拓丰科技有限公司
      蓝钻会员 该会员已经通过企业认证 QQ:787826493
      电话:0755-83235352/832353
      手机:
    • PHKD13N03LT,118
    • NXP【应用于智能连接和基础架构 】 
    • 1833+ 
    • 9625pcs可供更多数量 
    • MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC//实单可申请特价,请出接受价格,市场最低价 
    • 原厂原装 原包 每一片都来自正规 
    • 深圳市烨弘轩电子有限公司
      VIP会员 该会员已经通过企业认证 QQ:2412776030
      电话:0755-82529130 
      手机:13691883680

    服务热线 深圳:13751165337 0755-83030533 传真:0755-83035052
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